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C3M0032120J1

C3M0032120J1 Wolfspeed

c3m0032120j1.pdf Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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Technische Details C3M0032120J1 Wolfspeed

Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V, Power Dissipation (Max): 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V.

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C3M0032120J1 C3M0032120J1 Hersteller : Wolfspeed c3m0032120j1.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
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C3M0032120J1 C3M0032120J1 Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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C3M0032120J1 C3M0032120J1 Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
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C3M0032120J1 Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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