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C3M0045065K

C3M0045065K Wolfspeed

c3m0045065k.pdf Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Technische Details C3M0045065K Wolfspeed

Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V.

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C3M0045065K C3M0045065K Hersteller : Wolfspeed c3m0045065k.pdf 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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C3M0045065K C3M0045065K Hersteller : MACOM MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
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C3M0045065K C3M0045065K Hersteller : Wolfspeed, Inc. Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
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