auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 16.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details C3M0045065K Wolfspeed
Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0045065K nach Preis ab 14.17 EUR bis 24.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 6567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
auf Bestellung 6567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
|
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
C3M0045065K | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |