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C3M0065090D

Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf
Produktcode: 182273
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.14 EUR
12+14.91 EUR
50+14.55 EUR
100+13.85 EUR
200+13.59 EUR
1800+13.35 EUR
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) C3M0065090D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.82 EUR
5+20.65 EUR
10+18.33 EUR
30+15.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
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6+30.9 EUR
10+27.64 EUR
25+19.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.87 EUR
30+23.78 EUR
120+20.71 EUR
510+20.35 EUR
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C3M0065090D C3M0065090D WOLFSPEED CREE-S-A0008511199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.53 EUR
7+36.22 EUR
10+28.73 EUR
50+23.99 EUR
100+22.84 EUR
250+21.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
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Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065090D
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Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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C3M0065090D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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