C3M0065090D Wolfspeed
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Technische Details C3M0065090D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0065090D nach Preis ab 18.43 EUR bis 46.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
auf Bestellung 2803 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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C3M0065090D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 1041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0065090D Produktcode: 182273 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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