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Technische Details C3M0065090D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote C3M0065090D nach Preis ab 9.93 EUR bis 31.45 EUR
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns Case: TO247-3 Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 36A On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Mounting: THT |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V |
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C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0065090D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| C3M0065090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0065090D Produktcode: 182273
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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