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C3M0065090D

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Produktcode: 182273
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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11+17.14 EUR
12+14.91 EUR
50+14.55 EUR
100+13.85 EUR
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
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6+30.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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25+19.05 EUR
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 946 Stücke:
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1+38.25 EUR
30+24.03 EUR
60+22.34 EUR
120+20.91 EUR
510+20.17 EUR
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C3M0065090D C3M0065090D WOLFSPEED CREE-S-A0008511199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.03 EUR
6+41.52 EUR
10+32.88 EUR
50+27.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) C3M0065090D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
11+17.14 EUR
12+14.91 EUR
50+14.55 EUR
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C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065090D wolfspeed_c3m0065090d_data_sheet.pdf
C3M0065090D
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Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
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C3M0065090D CREE-S-A0008511199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0065090D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
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