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C3M0065090J

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Produktcode: 148769
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) C3M0065090J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+20.58 EUR
10+18.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed 1C87CE78054270FE39941AA3292614EF79BC438A889AFDE2F9A9988076012689.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.41 EUR
10+23.94 EUR
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C3M0065090J C3M0065090J CREE info-tc3m0065090j.pdf N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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C3M0065090J Wolfspeed 18696.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+20.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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Hersteller: CREE
N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
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