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C3M0065090J

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Produktcode: 148769
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) C3M0065090J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 113W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+20.05 EUR
10+17.92 EUR
50+17.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed 1C87CE78054270FE39941AA3292614EF79BC438A889AFDE2F9A9988076012689.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.41 EUR
10+23.94 EUR
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C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
auf Bestellung 1128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.07 EUR
10+28.74 EUR
50+23.9 EUR
100+22.35 EUR
500+21.29 EUR
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C3M0065090J C3M0065090J WOLFSPEED CREE-S-A0008511198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+48.91 EUR
7+36.5 EUR
10+25.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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C3M0065090J C3M0065090J CREE info-tc3m0065090j.pdf N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+57.6 EUR
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C3M0065090J Wolfspeed 18696.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+19.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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C3M0065090J Wolfspeed 18696.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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1000+19.84 EUR
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 113W
Gate charge: 30.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 78mΩ
Reverse recovery time: 16ns
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Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
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C3M0065090J CREE-S-A0008511198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0065090J
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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N-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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