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C3M0075120D

C3M0075120D Wolfspeed

wolfspeed_c3m0075120d_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details C3M0075120D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 113.6W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
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C3M0075120D C3M0075120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
auf Bestellung 170 Stücke:
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2+17.42 EUR
30+10.2 EUR
60+9.34 EUR
120+8.62 EUR
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C3M0075120D C3M0075120D WOLFSPEED 2786833.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
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6+46.58 EUR
7+37.84 EUR
10+28.96 EUR
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100+23.97 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
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Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
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Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
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6+46.58 EUR
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