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Technische Details C3M0075120J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C3M0075120J nach Preis ab 16.13 EUR bis 47.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
auf Bestellung 3363 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
auf Bestellung 3558 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 5562 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
C3M0075120J |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0075120J | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns |
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