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C3M0075120J

C3M0075120J Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
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Technische Details C3M0075120J Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 113.6W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
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C3M0075120J C3M0075120J MACOM Wolfspeed_C3M0075120J_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
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C3M0075120J C3M0075120J WOLFSPEED 2329403.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) C3M0075120J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Reverse recovery time: 18ns
Mounting: SMD
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C3M0075120J Wolfspeed wolfspeedc3m0075120jdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
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Hersteller: MACOM
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
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Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
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100+20.04 EUR
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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