C3M0075120J Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.92 EUR |
| 50+ | 9.28 EUR |
| 100+ | 8.54 EUR |
| 500+ | 7.26 EUR |
| 1000+ | 7.01 EUR |
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Technische Details C3M0075120J Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote C3M0075120J nach Preis ab 18.79 EUR bis 33.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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C3M0075120J | Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns Technology: C3M™; SiC |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120J | Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
auf Bestellung 3363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0075120J | MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 |
auf Bestellung 3558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0075120J | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| C3M0075120J |
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Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Technology: C3M™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 22.87 EUR |
| 5+ | 20.25 EUR |
| 10+ | 18.79 EUR |
| C3M0075120J |
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Hersteller: Wolfspeed
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3363 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.27 EUR |
| 10+ | 28.25 EUR |
| 50+ | 24.99 EUR |
| 100+ | 24.17 EUR |
| 500+ | 23.5 EUR |
| C3M0075120J |
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Hersteller: MACOM
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
auf Bestellung 3558 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.12 EUR |
| 10+ | 29.8 EUR |
| 25+ | 29.63 EUR |
| 50+ | 29.16 EUR |
| 100+ | 26.32 EUR |
| 250+ | 26.18 EUR |
| 500+ | 24.06 EUR |
| C3M0075120J |
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Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
Description: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 317 Stücke:
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