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Technische Details C3M0120065K Wolfspeed
Description: 650V 120M SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote C3M0120065K nach Preis ab 7.36 EUR bis 17.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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C3M0120065K | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0120065K | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial |
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C3M0120065K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: 650V 120M SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C3M0120065K | Hersteller : Wolfspeed |
C3M0120065K |
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C3M0120065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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