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C3M0120065K

C3M0120065K Wolfspeed

c3m0120065k.pdf Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Technische Details C3M0120065K Wolfspeed

Description: 650V 120M SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V.

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C3M0120065K C3M0120065K Hersteller : Wolfspeed c3m0120065k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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C3M0120065K C3M0120065K Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120065K_data_sheet.pdf Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
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C3M0120065K C3M0120065K Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120065K_data_sheet.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 120mO, 650V, TO-247-4, Industrial
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