C3M0120090J Wolfspeed
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| 50+ | 9.71 EUR |
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Technische Details C3M0120090J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0120090J nach Preis ab 7.33 EUR bis 26.02 EUR
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 24ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 22A Power dissipation: 83W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: C3M™; SiC Reverse recovery time: 24ns |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V |
auf Bestellung 5823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm |
auf Bestellung 1047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C3M0120090J | Hersteller : CREE |
N-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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C3M0120090J Produktcode: 126112
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
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| C3M0120090J | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
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