Produkte > WOLFSPEED > C3M0160120D
C3M0160120D

C3M0160120D Wolfspeed

c3m0160120d.pdf Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
450+7.67 EUR
1800+7.32 EUR
4500+7.05 EUR
9000+6.78 EUR
18000+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details C3M0160120D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V.

Weitere Produktangebote C3M0160120D nach Preis ab 5.97 EUR bis 13.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
450+8.14 EUR
4500+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.17 EUR
10+8.06 EUR
120+6.79 EUR
510+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 35550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
450+8.92 EUR
8550+7.9 EUR
17100+7.11 EUR
25650+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 450
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.3 EUR
10+8.35 EUR
30+7.16 EUR
510+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.3 EUR
10+8.35 EUR
30+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D
Produktcode: 167206
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+10.26 EUR
16+8.85 EUR
25+7.26 EUR
50+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+10.26 EUR
16+8.85 EUR
25+7.26 EUR
50+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.99 EUR
30+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+13.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : WOLFSPEED 3993865.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D C3M0160120D Hersteller : Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH