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C3M0160120D

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Produktcode: 167206
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
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450+9.23 EUR
1800+8.81 EUR
4500+8.48 EUR
9000+8.16 EUR
18000+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
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30+9.41 EUR
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1328 Stücke:
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10+9.59 EUR
120+8.08 EUR
510+7.1 EUR
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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auf Bestellung 435 Stücke:
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17+10.26 EUR
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8550+9.71 EUR
17100+8.89 EUR
25650+8.25 EUR
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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15+12.35 EUR
16+10.65 EUR
25+8.75 EUR
50+8.33 EUR
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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16+10.89 EUR
25+9.08 EUR
50+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.35 EUR
30+8.27 EUR
120+6.94 EUR
510+5.95 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed c3m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 270 Stücke:
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30+16.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0160120D C3M0160120D WOLFSPEED 3993865.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 37 Stücke:
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10+25.92 EUR
11+21.4 EUR
13+17.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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C3M0160120D c3m0160120d.pdf
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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1800+8.81 EUR
4500+8.48 EUR
9000+8.16 EUR
18000+7.83 EUR
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C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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AnzahlPrivatkunde
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C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.72 EUR
10+9.59 EUR
120+8.08 EUR
510+7.1 EUR
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C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 35100 Stücke:
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450+9.79 EUR
4500+9.56 EUR
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C3M0160120D c3m0160120d.pdf
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 270 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
30+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0160120D
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1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 435 Stücke:
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C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
auf Bestellung 35550 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
450+10.73 EUR
8550+9.71 EUR
17100+8.89 EUR
25650+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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C3M0160120D
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+12.35 EUR
16+10.65 EUR
25+8.75 EUR
50+8.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0160120D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
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