Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details C4D10120E Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2522, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 33A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote C4D10120E nach Preis ab 5.52 EUR bis 15.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 170W Manufacturer series: C4D |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2522 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 2273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
C4D10120E | Hersteller : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A |
Produkt ist nicht verfügbar |