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C4D10120E

C4D10120E Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C4D10120E_data_sheet.pdf Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
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Technische Details C4D10120E Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 33A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.

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C4D10120E C4D10120E Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C4D10120E_data_sheet.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
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