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Technische Details C4D20120H Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 54A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote C4D20120H nach Preis ab 5.63 EUR bis 18.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 54A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 54A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 54A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes 20A 1200V SiC Schottky Diode |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 1.2KV 54A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 104A Power dissipation: 106.5W Manufacturer series: C4D Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| C4D20120H | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC; Z-Rec® Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 104A Power dissipation: 106.5W Manufacturer series: C4D |
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