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C4D40120H

C4D40120H Wolfspeed

c4d40120h.pdf
Hersteller: Wolfspeed
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 128A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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Technische Details C4D40120H Wolfspeed

Description: DIODE SIL CARB 1200V 128A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2809pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 128A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C4D40120H C4D40120H Wolfspeed C4D40120H.pdf SiC, Schottky Diode, 40A, 1200V, TO-247-2, Industrial, Gen 4
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C4D40120H C4D40120H Wolfspeed Wolfspeed_C4D40120H_data_sheet.pdf SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 40A, 1200V, TO-247-2, Industrial
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C4D40120H C4D40120H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C4D40120H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 128A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2809pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 128A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2809pF @ 0V, 1MHz
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
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