C6D06065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 393pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.56 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.1 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details C6D06065Q-TR Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVQFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 393pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 21A, Supplier Device Package: 4-QFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote C6D06065Q-TR nach Preis ab 1.88 EUR bis 5.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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C6D06065Q-TR | Hersteller : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, QFN 8x8 T&R, Industrial |
auf Bestellung 2438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C6D06065Q-TR | Hersteller : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 21A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C6D06065Q-TR | Hersteller : Wolfspeed |
650 V Silicon Carbide Schottky Barrier diode in low profile QFN package |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C6D06065Q-TR | Hersteller : Wolfspeed |
650 V Silicon Carbide Schottky Barrier diode in low profile QFN package |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C6D06065Q-TR | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 21A 4QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 393pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: 4-QFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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