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| 75+ | 3.09 EUR |
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Technische Details C6D10065E Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote C6D10065E nach Preis ab 3.26 EUR bis 11.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed |
 SiC Schottky Diodes 650V 10A Gen6 |
auf Bestellung 4045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 68A Power dissipation: 43W Manufacturer series: C6D Technology: SiC; Z-Rec® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 43W; C6D Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 68A Power dissipation: 43W Manufacturer series: C6D Technology: SiC; Z-Rec® |
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C6D10065E | Hersteller : Cree, Inc |
Діод Шоттки TO-252-2 (DPAK) U=650V I=35A(T=25C) Vf=1,27V; Silicon Carbide 6th Gen |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C6D10065E | Hersteller : CREE |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C6D10065E | Hersteller : Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |