CCB016M12GM3T Wolfspeed
Hersteller: WolfspeedSiC, Module, 16mΩ,1200V, 48 mm, GM3 Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 368.15 EUR |
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Technische Details CCB016M12GM3T Wolfspeed
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 10mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.8mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 23mA, Supplier Device Package: Module.
Weitere Produktangebote CCB016M12GM3T nach Preis ab 331.09 EUR bis 488.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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CCB016M12GM3T | Hersteller : Wolfspeed |
SiC, Module, 16mΩ,1200V, 48 mm, GM3 Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM |
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CCB016M12GM3T | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET Modules SiC, Module, 16m ohm,1200V, 48 mm, GM3 Six-Pack, Industrial, Pre-Applied TIM |
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CCB016M12GM3T | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 10mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.8mOhm @ 50A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 23mA Supplier Device Package: Module |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CCB016M12GM3T | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistors - Unclassified Description: CCB016M12GM3T |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CCB016M12GM3T | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin |
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