CCB021M12FM3 Wolfspeed
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details CCB021M12FM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 51A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 30A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote CCB021M12FM3 nach Preis ab 198.35 EUR bis 352.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed |
 1200V silicon carbide six-pack power module delivering maximum power density |
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed |
1200V silicon carbide six-pack power module delivering maximum power density |
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed |
1200V silicon carbide six-pack power module delivering maximum power density |
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 51A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 30A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA Part Status: Active |
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET Modules 1B 6pack 33.8mm |
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CCB021M12FM3 | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 23-Pin Box |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |