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Technische Details CCS050M12CM2 Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - CCS050M12CM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, 6er-Pack, Halbbrücke, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 337W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
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Preis |
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CCS050M12CM2 | Hersteller : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - CCS050M12CM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, 6er-Pack, Halbbrücke, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 337W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CCS050M12CM2 | Hersteller : Wolfspeed / Cree |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CCS050M12CM2 | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 337W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs |
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