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CDBDSC5650-G

CDBDSC5650-G Comchip Technology


CDBDSC5650-G493487.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21.5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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Technische Details CDBDSC5650-G Comchip Technology

Description: DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 21.5A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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CDBDSC5650-G CDBDSC5650-G Hersteller : Comchip Technology qw-bsc1920cdbdsc5650-g20revb.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21.5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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