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CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G Comchip Technology

CDBJFSC5650-G493240.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 430pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 476 Stücke:
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100+3.26 EUR
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Technische Details CDBJFSC5650-G Comchip Technology

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 430pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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CDBJFSC5650-G CDBJFSC5650-G Hersteller : Comchip Technology CDBJFSC5650_G493240-2505393.pdf SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
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CDBJFSC5650-G CDBJFSC5650-G Hersteller : Comchip Technology 1630847717925922cdbjfsc5650-g20reva377169.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 11.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
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