CE3512K2-C1 CEL
Hersteller: CELDescription: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details CE3512K2-C1 CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote CE3512K2-C1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 7.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CE3512K2-C1 | Hersteller : CEL |
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.7dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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| CE3512K2-C1 | Hersteller : CEL |
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C |
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| CE3512K2-C1 | Hersteller : CEL |
Транз. Пол. СВЧ 4-Micro-X 12 GHz Super Low Noise FET |
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