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CE3512K2-C1

CE3512K2-C1 CEL

CE3512K2.pdf Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details CE3512K2-C1 CEL

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CE3512K2-C1 CE3512K2-C1 Hersteller : CEL CE3512K2.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-Micro-X
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 125mW
Gain: 13.7dB
Technology: pHEMT FET
Noise Figure: 0.5dB
Supplier Device Package: 4-Micro-X
Part Status: Active
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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CE3512K2-C1 CE3512K2-C1 Hersteller : CEL CE3512K2-3412770.pdf RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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CE3512K2-C1 Hersteller : CEL CE3512K2.pdf Транз. Пол. СВЧ 4-Micro-X 12 GHz Super Low Noise FET
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CE3512K2-C1 CE3512K2-C1 Hersteller : California Eastern Labs ce3512k2.pdf Trans RF FET N-CH 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R
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