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CE3514M4

CE3514M4 CEL

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Hersteller: CEL
RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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Technische Details CE3514M4 CEL

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold, Noise Figure: 0.62dB, Technology: pHEMT FET, Gain: 12.2dB, Power - Output: 125mW, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 15mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Strip.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CE3514M4 CE3514M4 California Eastern Laboratories ce3514m4.pdf Trans RF MOSFET 4V 0.068A 4-Pin Super Mini-Mold T/R
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CE3514M4 California Eastern Labora CE3514M4.pdf RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold Транзистори
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CE3514M4 CE3514M4 CEL CE3514M4.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 0.62dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 12.2dB
Power - Output: 125mW
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Strip
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CE3514M4
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF MOSFET 4V 0.068A 4-Pin Super Mini-Mold T/R
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RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold Транзистори
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Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 0.62dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 12.2dB
Power - Output: 125mW
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
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