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CE3521M4 California Eastern Labora

CE3521M4.pdf
Hersteller: California Eastern Labora
RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 2V 10mA 20GHz 11.9dB 125mW 4-Super Mini Mold Транзистори
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Technische Details CE3521M4 California Eastern Labora

Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold, Noise Figure: 1.05dB, Technology: pHEMT FET, Gain: 11.9dB, Power - Output: 125mW, Frequency: 20GHz, Current Rating (Amps): 15mA, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Strip.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CE3521M4 CE3521M4 CEL CE3521M4.pdf Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 1.05dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 11.9dB
Power - Output: 125mW
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Strip
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CE3521M4 CE3521M4 CEL CE3521M4.pdf RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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CE3521M4
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 1.05dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 11.9dB
Power - Output: 125mW
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Strip
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CE3521M4
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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