CG2H30070F

CG2H30070F MACOM Technology Solutions


RF_Comm_Prod_6-29-17.pdf Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224
Packaging: Tray
Package / Case: 440224
Frequency: 0Hz ~ 4GHz
Power - Output: 75W
Gain: 12dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: 440224
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
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Technische Details CG2H30070F MACOM Technology Solutions

Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224, Packaging: Tray, Package / Case: 440224, Frequency: 0Hz ~ 4GHz, Power - Output: 75W, Gain: 12dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: 440224, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.

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CG2H30070F CG2H30070F Hersteller : MACOM CG2H30070F-3442020.pdf GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
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CG2H30070F Hersteller : MACOM RF_Comm_Prod_6-29-17.pdf Trans RF MOSFET N-CH 120V 12A 3-PinCase 440224
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