CG2H30070F MACOM Technology Solutions


CG2H30070F.pdf
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 120 V
Supplier Device Package: 440224
Technology: GaN HEMT
Gain: 12dB
Power - Output: 75W
Frequency: 0Hz ~ 4GHz
Package / Case: 440224
Packaging: Tray
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Technische Details CG2H30070F MACOM Technology Solutions

Description: RF MOSFET GAN HEMT 28V 440224, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 120 V, Supplier Device Package: 440224, Technology: GaN HEMT, Gain: 12dB, Power - Output: 75W, Frequency: 0Hz ~ 4GHz, Package / Case: 440224, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CG2H30070F CG2H30070F MACOM CG2H30070F.pdf GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
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CG2H30070F MACOM CG2H30070F.pdf Trans RF MOSFET N-CH 120V 12A 3-PinCase 440224
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