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CG2H40010P

CG2H40010P MACOM

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Hersteller: MACOM
GaN FETs 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
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Technische Details CG2H40010P MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196, Packaging: Tray, Package / Case: 440196, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 8GHz, Power - Output: 10W, Gain: 16.7dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 440196, Voltage - Rated: 120 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 200 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CG2H40010P CG2H40010P MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196
Packaging: Tray
Package / Case: 440196
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Power - Output: 10W
Gain: 16.7dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440196
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 200 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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CG2H40010P
CG2H40010P
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 28V 440196
Packaging: Tray
Package / Case: 440196
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 8GHz
Power - Output: 10W
Gain: 16.7dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 440196
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 28 V
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