CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 136.61 EUR |
| 10+ | 114 EUR |
| 25+ | 111.79 EUR |
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Technische Details CGHV1F006S MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 950mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 6GHz, Power - Output: 8W, Gain: 16dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 60 mA.
Weitere Produktangebote CGHV1F006S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CGHV1F006S | MACOM |
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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CGHV1F006S | MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 950mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 6GHz Power - Output: 8W Gain: 16dB Technology: HEMT Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4) Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 40 V Current - Test: 60 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CGHV1F006S | MACOM |
GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CGHV1F006S |
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Hersteller: MACOM
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Транзистори
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Транзистори
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| CGHV1F006S |
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Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-PDFN (3x4)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
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| CGHV1F006S |
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Hersteller: MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
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