CLF1G0035-100.112
Hersteller:
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CLF1G0035-100.112
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT467C, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-467C, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 3GHz, Power - Output: 100W, Gain: 12dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: SOT467C, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 330 mA.
Weitere Produktangebote CLF1G0035-100.112
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CLF1G0035-100,112 | Ampleon USA Inc. |
 Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT467CPackaging: Tray Package / Case: SOT-467C Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 3GHz Power - Output: 100W Gain: 12dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: SOT467C Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 330 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CLF1G0035-100,112 |
|
Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT467C
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-467C
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 3GHz
Power - Output: 100W
Gain: 12dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT467C
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 330 mA
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT467C
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-467C
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 3GHz
Power - Output: 100W
Gain: 12dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT467C
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 330 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH