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CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors

Hersteller: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors Broadband RF power GaN HEMT

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Technische Details CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-1227B, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz, Power - Output: 10W, Gain: 14.5dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: SOT1227B, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 50 mA.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	CLF1G0060S-10U	Ampleon USA Inc.	Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B Packaging: Tray Package / Case: SOT-1227B Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz Power - Output: 10W Gain: 14.5dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: SOT1227B Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 50 mA	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CLF1G0060S-10U

Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-1227B
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz
Power - Output: 10W
Gain: 14.5dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT1227B
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 50 mA

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