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CLS10F40,L3F

CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
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Technische Details CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: CL2E, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V.

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CLS10F40,L3F CLS10F40,L3F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
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