CM200DY-12NF
Produktcode: 59833
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Technische Details CM200DY-12NF
- IGBT Module
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:200A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.2V
- Power Dissipation, Pd:650W
- Package/Case:Module
- Collector Current:200A
Weitere Produktangebote CM200DY-12NF nach Preis ab 185.41 EUR bis 185.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CM200DY-12NF | Mitsubishi Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 650000mW 7-Pin |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||
| CM200DY12NF | MITSUBIS | 10+ SMD |
auf Bestellung 3623 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CM200DY-12NF |
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Hersteller: Mitsubishi Semiconductor
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 650000mW 7-Pin
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 650000mW 7-Pin
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 185.41 EUR |
| CM200DY12NF |
Hersteller: MITSUBIS
10+ SMD
10+ SMD
auf Bestellung 3623 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

