CMPT591E TR PBFREE Central Semiconductor Corp
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: 60V 1A 350MW SMD TRANSISTOR-SMAL
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details CMPT591E TR PBFREE Central Semiconductor Corp
Description: 60V 1A 350MW SMD TRANSISTOR-SMAL, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: SOT-23, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CMPT591E TR PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CMPT591E TR PBFREE |
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Enhanced
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