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CPC3981ZTR

CPC3981ZTR IXYS Integrated Circuits Division

cpc3981z.pdf?assetguid=deeae3b4-0509-4b65-8ccb-3be467106d30
Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division
Description: MOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 1µA
Supplier Device Package: SOT-223-2L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
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Technische Details CPC3981ZTR IXYS Integrated Circuits Division

Description: MOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V, Power Dissipation (Max): 2.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 1µA, Supplier Device Package: SOT-223-2L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V.

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CPC3981ZTR CPC3981ZTR IXYS Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-CPC3981Z-Datasheet.pdf MOSFETs N-CH DEP MOSFET 800V 45 Oh SOT-223-2L TR
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CPC3981ZTR CPC3981ZTR IXYS Integrated Circuits Division cpc3981z.pdf?assetguid=deeae3b4-0509-4b65-8ccb-3be467106d30 Description: MOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT223
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
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