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CPC5602CTR

CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division

littelfuse-integrated-circuits-cpc5602-datasheet?assetguid=b369bd9a-9757-4f49-b2b0-b130948a73ca Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division
Description: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
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Technische Details CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division

Description: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 0 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CPC5602CTR CPC5602CTR Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.005A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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CPC5602CTR CPC5602CTR Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A6668BB1AE38BF&compId=CPC5602.pdf?ci_sign=1ab99acd3aab3a1662bfc24a628f4deff77adc0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
82+0.87 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 57
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.35V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
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Produktcode: 109430
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