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CPH3216-TL-E

CPH3216-TL-E ON Semiconductor

1515en6405-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 900mW 3-Pin CPH T/R
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Technische Details CPH3216-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - CPH3216-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 420MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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CPH3216-TL-E CPH3216-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 1515en6405-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 1A 900mW 3-Pin CPH T/R
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CPH3216-TL-E CPH3216-TL-E Hersteller : onsemi en6405-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 1A 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
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CPH3216-TL-E CPH3216-TL-E Hersteller : onsemi CPH3116_D-3538206.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 50V
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100+0.41 EUR
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CPH3216-TL-E CPH3216-TL-E Hersteller : ONSEMI en6405-d.pdf Description: ONSEMI - CPH3216-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
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Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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