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| Anzahl | Preis |
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Technische Details CPH3413-TL-E onsemi
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote CPH3413-TL-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| CPH3413-TL-E | Hersteller : SANYO |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| CPH3413TLE | Hersteller : SANYO | 05+ SOP28 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| CPH3413-TL-E | Hersteller : SAYNO | SOT23 |
auf Bestellung 2921 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| CPH3413-TL-E | Hersteller : Sanyo |
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 3-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
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