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Technische Details CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123F, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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CRG09(TE85L,Q,M) | Toshiba |
 Rectifier Diode Si 400V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin S-FLAT T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CRG09(TE85L,Q,M) |
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Hersteller: Toshiba
Rectifier Diode Si 400V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin S-FLAT T/R
Rectifier Diode Si 400V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin S-FLAT T/R
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