CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage


CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
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Technische Details CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
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CRS10I30C(TE85L,QM CRS10I30C_datasheet_en_20140221.pdf?did=14909&prodName=CRS10I30C
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Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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