CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.09 EUR |
| 32+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
20 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5), Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V.
Weitere Produktangebote CRS10I40B(TE85L,QM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CRS10I40B(TE85L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
CRS10I40B(TE85L,QM | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CRS10I40B(TE85L,QM |
|
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CRS10I40B(TE85L,QM |
|
Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM
Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH