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CSD01060E-TR

CSD01060E-TR Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_CSD01060E_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.23 EUR
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Technische Details CSD01060E-TR Wolfspeed, Inc.

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CSD01060E-TR CSD01060E-TR Wolfspeed Wolfspeed_CSD01060E_data_sheet.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1A, 600V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.73 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
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CSD01060E-TR CSD01060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CSD01060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 11296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1A, 600V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.24 EUR
10+2.73 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.09 EUR
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
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