CSD13202Q2 Texas Instruments
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 468+ | 0.32 EUR |
| 491+ | 0.29 EUR |
| 494+ | 0.28 EUR |
| 548+ | 0.24 EUR |
| 558+ | 0.23 EUR |
| 620+ | 0.20 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CSD13202Q2 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD13202Q2 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm |
auf Bestellung 4333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V |
auf Bestellung 5212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
CSD13202Q2 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
CSD13202Q2 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: WSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
CSD13202Q2 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |