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CSD13202Q2

CSD13202Q2 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13202q2
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details CSD13202Q2 Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote CSD13202Q2 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.71 EUR
379+0.45 EUR
505+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.71 EUR
379+0.44 EUR
505+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
auf Bestellung 5251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
242+0.71 EUR
379+0.45 EUR
505+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
242+0.71 EUR
379+0.44 EUR
505+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
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100+0.46 EUR
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD13202Q2
Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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