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CSD15380F3 Texas Instruments

Name: CSD15380F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 44481253-5
Price: 144.00 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R

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Technische Details CSD15380F3 Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFLGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA, Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V, Vgs (Max): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V.

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Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V

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Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V

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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
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