Technische Details CSD18501Q5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CSD18501Q5A nach Preis ab 1.18 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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CSD18501Q5A | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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CSD18501Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 150W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 2.14 EUR |
| 96+ | 1.78 EUR |
| 97+ | 1.74 EUR |
| 133+ | 1.24 EUR |
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 2.17 EUR |
| 96+ | 1.76 EUR |
| 97+ | 1.68 EUR |
| 133+ | 1.18 EUR |
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.81 EUR |
| 10+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| 2500+ | 1.82 EUR |
| 5000+ | 1.76 EUR |
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.9 EUR |
| 10+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| 1000+ | 2.06 EUR |
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CSD18501Q5A |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)