CSD18501Q5A Texas Instruments
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Technische Details CSD18501Q5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CSD18501Q5A nach Preis ab 1.00 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
auf Bestellung 3367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V |
auf Bestellung 13282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 150W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
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CSD18501Q5A | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R |
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