CSD18502KCS Texas Instruments
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Technische Details CSD18502KCS Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 212A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 259W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD18502KCS nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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CSD18502KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 259W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 52nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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CSD18502KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 259W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 52nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18502KCS | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 212A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18502KCS | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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