CSD18509Q5BT Texas Instruments
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.34 EUR |
| 133+ | 1.3 EUR |
| 134+ | 1.26 EUR |
| 145+ | 1.13 EUR |
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Technische Details CSD18509Q5BT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD18509Q5BT nach Preis ab 1.04 EUR bis 7.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 11250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 11406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.02 EUR |
| 129+ | 1.3 EUR |
| 133+ | 1.23 EUR |
| 134+ | 1.17 EUR |
| 145+ | 1.04 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.24 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 2.7 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.88 EUR |
| 750+ | 2.75 EUR |
| 1250+ | 2.61 EUR |
| 1750+ | 2.53 EUR |
| 2500+ | 2.45 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| 2500+ | 2.09 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
MOSFETs 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.38 EUR |
| 10+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.64 EUR |
| 10+ | 5.01 EUR |
| 100+ | 3.51 EUR |
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CSD18509Q5BT |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)