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CSD18534Q5AT

CSD18534Q5AT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
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Technische Details CSD18534Q5AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V.

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CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT Hersteller : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
34+2.12 EUR
39+1.87 EUR
45+1.6 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 7.8mΩ
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 30 V
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CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT Hersteller : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
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