Technische Details CSD18537NQ5A Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD18537NQ5A nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V |
auf Bestellung 25535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18537NQ5A | Texas Instruments |
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT |
auf Bestellung 2143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18537NQ5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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CSD18537NQ5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| 7500+ | 0.56 EUR |
| 12500+ | 0.55 EUR |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 232+ | 0.75 EUR |
| 273+ | 0.63 EUR |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8-Pin VSONP EP T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 202+ | 0.87 EUR |
| 230+ | 0.73 EUR |
| 232+ | 0.7 EUR |
| 273+ | 0.57 EUR |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 30 V
auf Bestellung 25535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.4 EUR |
| 14+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
MOSFETs 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT
auf Bestellung 2143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CSD18537NQ5A |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18537NQ5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)