CSD18543Q3AT Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 250+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 750+ | 1.05 EUR |
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Technische Details CSD18543Q3AT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD18543Q3AT nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Case: VSONP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A On-state resistance: 8.1mΩ Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 11.1nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Case: VSONP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A On-state resistance: 8.1mΩ Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 11.1nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
auf Bestellung 1129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments Incorporated (TI) |
MOSFET N-CH 60V 8VSON |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT Produktcode: 126797
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
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