CSD18543Q3AT
Produktcode: 126797
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18543Q3A |
auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 30 V |
auf Bestellung 10198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18543Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 60V 8VSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD18543Q3AT | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |