Weitere Produktangebote CSD19532Q5B nach Preis ab 1.98 EUR bis 6.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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CSD19532Q5B | Texas Instruments |
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD19532Q5B |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |
| CSD19532Q5B |
![]() |
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4900 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.43 EUR |
| 58+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |



