Weitere Produktangebote CSD19532Q5B nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT |
auf Bestellung 7782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD19532Q5B | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, VSON-8 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 100A TDFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
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