CSD19532Q5B Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.55 EUR |
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Technische Details CSD19532Q5B Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD19532Q5B nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 1545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 1545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT |
auf Bestellung 8169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19532Q5B | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19532Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD19532Q5B Produktcode: 135706
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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