CSD25201W15 Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
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Technische Details CSD25201W15 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DSBGA, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote CSD25201W15 nach Preis ab 0.73 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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CSD25201W15 | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD25201W15 |
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| 139+ | 1.8 EUR |
| 197+ | 1.18 EUR |
| 230+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |