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CSD25402Q3A

CSD25402Q3A Texas Instruments

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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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AnzahlPreis
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details CSD25402Q3A Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote CSD25402Q3A nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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auf Bestellung 58246 Stücke:
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2+1.42 EUR
10+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
auf Bestellung 9434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
15+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFET P-CH Pwr MOSFET
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
auf Bestellung 9434 Stücke:
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1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD25402Q3A
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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CSD25402Q3A
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25402Q3A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 348 Stücke:
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