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CSD75208W1015

CSD75208W1015 Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details CSD75208W1015 Texas Instruments

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 750mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 2490 Stücke:
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421+0.42 EUR
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513+0.32 EUR
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auf Bestellung 8094 Stücke:
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4+1.01 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
auf Bestellung 14410 Stücke:
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14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
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Mindestbestellmenge: 393 Stücke
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MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD75208W1015T
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Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
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